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目前產(chǎn)品包括超精密運動平臺、激光退火設(shè)備、晶圓鍵合設(shè)備、晶圓傳輸系統(tǒng)、主被動隔振器、靜電卡盤、精密測量系統(tǒng)等整機設(shè)備及半導(dǎo)體關(guān)鍵零部件，主要應(yīng)用于集成電路芯片制造、先進封裝、功率器件制造等產(chǎn)線，并在電子制造、激光加工等高端技術(shù)領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)廣泛應(yīng)用。

我國 半導(dǎo)體清洗領(lǐng)域的重要參與者包括盛美上海、至純科技、北方華創(chuàng)、芯源微等，其中，盛美單片 清洗設(shè)備最高可單臺配置 18 腔體，達到國際先進水平；芯源微單片物理清洗設(shè)備國內(nèi)領(lǐng)先，持續(xù) 開拓單片化學(xué)清洗設(shè)備市場。（6）涂膠顯影設(shè)備涂膠顯影設(shè)備是集成電路制造過程中不可或缺的關(guān)鍵處理設(shè)備。涂膠顯影設(shè)備是與光刻機配合進 行作業(yè)的關(guān)鍵處理設(shè)備，主要負責涂膠、烘烤及顯影。

面板光刻膠：國產(chǎn)化空間廣闊 光刻工藝同樣也是液晶面板制造的核心工藝，通過鍍膜、清洗、光刻膠涂覆、曝光、顯影、蝕刻等工序，將掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到薄膜上，形成與掩膜板對應(yīng)的幾何圖形，從而制得TFT電極與彩色濾光片。

光刻工藝的成本約為整個芯片制造工藝的35%，并且耗費時間約占整個芯片工藝的40%-50%。光刻膠材料約占IC制造材料總成本的4%，市場巨大。因此光刻膠是半導(dǎo)體集成電路制造的核心材料。 （正性光刻膠顯影示意圖） 按顯示效果分類；光刻膠可分為正性光刻膠和負性光刻膠。

2.1 DPC技術(shù)DPC技術(shù)是先其制作首先將陶瓷基片進行前處理清洗，利用真空濺射方式在基片表面沉積 Ti/Cu 層作為種子層，接著以光刻、顯影、刻蝕工藝完成線路制作，最后再以電鍍/化學(xué)鍍方式增加線路厚度，待光刻膠去除后完成基板制作。